STL11N4LLF5

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗能够同时实现高效率开关和超小占板面积的MOSFET，将如何为您的产品注入新的竞争力。这正是STL11N4LLF5所带来的核心价值。作为ST意法半导体STripFET V家族的杰出代表，它凭借N沟道技术和先进的PowerFlat封装，将高性能与微型化完美融合，专为应对现代电子设备对功率密度和热管理的严苛挑战而生。

无论是需要高效DC-DC转换的便携式设备、对空间极其敏感的汽车辅助系统模块，还是要求快速响应和低损耗的电机驱动控制单元，STL11N4LLF5都能游刃有余。其40V的漏源电压和高达11A的连续漏极电流，为各类中低压、中电流应用提供了坚实的功率开关基础。更关键的是，其极低的导通电阻（典型值仅9.7毫欧）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率，让您的终端产品在续航和可靠性上脱颖而出。

选择STL11N4LLF5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典与成熟，在大量现有设计和备货需求中依然拥有不可替代的地位。其4.5V的低驱动电压门槛，使其能与多种逻辑电平轻松接口，简化驱动电路设计。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作。当您需要为经典设计寻找可靠供应或优化BOM成本时，联系专业的ST一级代理将是获取正品货源和专业技术支持的最佳途径。这颗芯片不仅仅是一个组件，更是您提升产品功率性能、实现设计小型化目标的强大助力。

• 型号:STL11N4LLF5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.7 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1570 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL11N4LLF5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。