STGWA25H120F2

在追求极致能效与可靠性的功率转换领域，您是否还在为高电压、大电流应用的开关损耗和散热问题而困扰？现在，一颗集高性能与高可靠性于一身的解决方案已经到来STGWA25H120F2，它将为您重新定义1200V IGBT的性能标杆。

这颗来自ST意法半导体的沟槽型场截止IGBT，绝非普通器件。它拥有高达1200V的集射极击穿电压和25A的额定集电极电流，峰值电流能力更可达100A，为您的设计提供了充裕的功率裕量。更令人振奋的是，它在25A电流下的典型饱和压降仅为2.6V，这意味着在导通状态下，它能将能量损耗降至极低水平，直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度。无论是面对375W的功率处理需求，还是在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定工作，它都游刃有余。

想象一下，在您的太阳能逆变器中，STGWA25H120F2正高效地将光伏板产生的直流电转换为纯净的交流电，其优异的开关特性（开通延迟29ns，关断延迟130ns）确保了精准的PWM控制，最大化能量 harvest。在工业电机驱动领域，它强劲的电流输出和坚固的TO-247-3封装，能够轻松驾驭变频器中的高功率负载，确保电机平稳、高效、持久地运行。同样，在不间断电源（UPS）和电焊机等要求严苛的应用中，它都是保障系统核心动力稳定、可靠的不二之选。

选择STGWA25H120F2，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。它不仅仅是一个参数出色的半导体器件，更是ST先进沟槽场截止技术的结晶，在开关速度与导通损耗之间取得了完美平衡，其低至600J和700J的开关能量，显著降低了高频开关应用中的总体损耗。这意味着您的终端产品将拥有更长的寿命、更低的发热量以及更安静、更紧凑的散热设计。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，请务必通过官方授权的ST代理进行采购，以确保获得百分百的正品保障和完整的售前售后服务。让STGWA25H120F2成为您下一代高性能电源与驱动设计的核心动力，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STGWA25H120F2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:600J（导通），700J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:100 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns
• 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGWA25H120F2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。