STL120N4LF6AG

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理或电机驱动方案是否还在为功率密度与散热效率的平衡而困扰？想象一下，一颗能够承载120A强劲电流，同时将导通损耗降至毫欧级别的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃与空间解放？这正是STL120N4LF6AG为您呈现的答案。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET技术与汽车级AEC-Q101标准淬炼下的高效能量枢纽，专为应对严苛应用环境而生。

无论是新能源汽车的OBC（车载充电器）和DC-DC转换器，还是工业自动化中高动态响应的伺服驱动，亦或是不断追求轻量化、高续航的电动工具与无人机，STL120N4LF6AG都能游刃有余。其40V的漏源电压与高达120A的连续漏极电流能力，为48V以下系统架构提供了坚实的功率基础。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）低至惊人的3.6毫欧，这意味着在相同电流下，导通损耗被大幅削减，系统整体效率显著提升，热量产生更少，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借更长的续航或更小的散热器脱颖而出。

选择STL120N4LF6AG，就是选择了一份可靠与高效的保障。它采用先进的PowerFlat（5x6）封装，在极小的占板面积内实现了优异的散热性能，完美契合现代电子产品小型化的趋势。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）确保了在极端环境下依然稳定运行，满足汽车、工业等高可靠性领域的要求。此外，优化的栅极电荷（Qg）特性有助于降低开关损耗，简化驱动电路设计，让您的开发过程更加高效顺畅。如需获取官方正品与技术支援，我们的ST授权代理团队随时待命，为您从选型到量产提供全程护航。让STL120N4LF6AG成为您下一代高性能设计的核心动力，开启能效新纪元。

• 型号:STL120N4LF6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:96W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL120N4LF6AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。