STL13N60M2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗和体积所困扰？想象一下，一颗集高耐压、低损耗与超薄封装于一体的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能格局。现在，这一切已触手可及。

我们隆重向您介绍意法半导体MDmesh II Plus家族的明星产品STL13N60M2。它不仅仅是一个开关，更是通往高效能未来的钥匙。凭借其600V的卓越耐压能力和高达7A的连续漏极电流，它为您的设计提供了坚固可靠的功率处理核心。更令人振奋的是，其导通电阻在10V驱动电压下低至420毫欧，这意味着在每一次开关动作中，能量都以更高的效率进行传递，显著减少了热量产生，让系统运行更凉爽、更稳定。

这颗芯片的价值，在各类开关电源、照明驱动、电机控制以及工业电源等应用场景中体现得淋漓尽致。无论是需要高功率密度的服务器电源，还是对空间极其敏感的LED驱动，或是要求苛刻的工业变频器，STL13N60M2都能游刃有余。其PowerFlat HV超薄封装，不仅实现了极低的热阻，更将占板面积压缩到极致，让您的产品设计可以更加纤薄、小巧，同时毫不妥协于功率和可靠性。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的心脏。

为何众多工程师在关键设计中信赖它？答案在于其背后强大的MDmesh II Plus技术。这项技术优化了单元结构，在降低导通电阻和栅极电荷（Qg低至17nC）之间取得了完美平衡。更低的Qg意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，磁性元件可以更小，整体方案成本得到优化。其高达150°C的结温工作能力，提供了充足的设计余量，确保在恶劣环境下依然稳定运行。当您需要可靠的原厂技术支持与供货保障时，我们的官方ST代理渠道将是您最坚实的后盾。选择STL13N60M2，不仅是选择了一颗顶级的功率器件，更是选择了一份让产品脱颖而出的信心与保障。

• 型号:STL13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL13N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。