STL13N65M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够显著降低导通电阻、提升开关速度的功率MOSFET，将如何为您的产品注入强劲动力。现在，答案就在STL13N65M2之中。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其650V的卓越耐压和6.5A的连续漏极电流能力，专为应对严苛的高压环境而生。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh M2先进技术带来的性能飞跃，旨在让您的设计从“能用”跃升到“卓越”。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求小型化的LED照明和适配器，STL13N65M2都能大显身手。其低至475毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在电流通过时产生的热量更少，电能转换效率更高，直接帮助您的终端产品降低能耗、减少散热片体积，实现更紧凑、更可靠的系统设计。搭配其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），开关过程更为迅速、干净，有效降低了开关损耗，让整个电源系统运行得更安静、更凉爽。这意味着，在同样的性能输出下，您的产品将拥有更长的寿命和更佳的用户体验。

选择STL13N65M2，就是选择了一份由全球半导体巨头ST意法半导体提供的品质与可靠性保障。其PowerFlat HV封装不仅提供了优异的散热性能，还极大地节省了宝贵的PCB空间，让高功率密度设计成为可能。虽然该型号已进入停产状态，但通过正规的ST代理商渠道，您依然可以获取可靠的库存或找到完美的升级替代方案，确保您的生产计划与产品生命周期平稳过渡。这颗芯片承载的不仅是电流，更是助力您的产品在市场竞争中脱颖而出的关键价值更高效率、更小体积、更强可靠性。立即行动，让它成为您下一代明星产品的核心引擎。

• 型号:STL13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:475 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL13N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。