STL140N4LLF5

在追求极致能效的电力转换世界，您是否还在为功率损耗和散热问题而妥协？想象一下，一个能同时承载140A强大电流，却将导通电阻压至仅2.75毫欧的解决方案，这不仅仅是参数的提升，更是系统性能的质变。这正是STL140N4LLF5带来的核心价值它重新定义了40V级别N沟道MOSFET的效率边界，让您的设计摆脱不必要的能量浪费，将每一分电力都精准地转化为驱动力量。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是新能源车车载充电器(OBC)和DC-DC转换模块，STL140N4LLF5都能游刃有余。其采用的先进STripFET V技术，确保了在高达150°C的结温下依然稳定工作，赋予了产品无与伦比的可靠性和环境适应性。这意味着，您的终端设备可以在更紧凑的空间内，实现更强大的功率输出和更长的使用寿命，直接提升了产品的市场竞争力。

选择STL140N4LLF5，就是选择了一种经过验证的高性能路径。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了开关损耗，让高频开关应用变得轻松高效，同时简化了驱动电路的设计。其PowerFlat 5x6封装不仅提供了优异的散热性能，还最大限度地节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度布局。当您寻求稳定可靠的供货和技术支持时，可以通过专业的ST代理商获取这颗芯片，他们将为您从选型到量产提供全程护航。让STL140N4LLF5成为您下一代高能效、高功率密度设计的基石，开启性能与可靠性的全新篇章。

• 型号:STL140N4LLF5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 140A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.75 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL140N4LLF5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。