STL16N1VH5

想象一下，当您的便携式设备需要在极小的空间内处理高达16A的电流时，传统的功率器件是否让您在设计时捉襟见肘？现在，答案来了。我们隆重推出STL16N1VH5，这颗来自ST意法半导体STripFET V家族的N沟道MOSFET，正是为突破空间与效率的极限而生。它采用先进的PowerFlat封装，尺寸仅为3.3x3.3毫米，却能在紧凑的电路板上释放出惊人的功率密度，让您的产品在性能竞赛中轻松领先。

无论是需要高效电源管理的超薄笔记本电脑、追求极致续航的无人机，还是对散热和体积有严苛要求的车载充电器与便携式储能设备，STL16N1VH5都能完美胜任。其12V的漏源电压和高达16A的连续漏极电流，确保了在低压大电流场景下的稳定可靠运行。更令人印象深刻的是，在4.5V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的3毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和可靠性，让终端用户享受到更持久的续航和更冷静的使用体验。

选择STL16N1VH5，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它不仅仅是一个开关，更是系统效率提升的关键引擎。极低的栅极电荷（26.5nC @ 4.5V）配合低阈值电压，使得开关速度更快，驱动更轻松，特别适合高频开关应用，能显著减少开关损耗。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）赋予了产品应对各种严苛环境的能力。虽然该型号已停产，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获得稳定、有保障的货源，为您的经典或特定项目设计提供持续支持。将STL16N1VH5融入您的下一个设计，它将以卓越的性能和极致的空间利用率，帮助您打造出更小巧、更强大、更具市场竞争力的产品。

• 型号:STL16N1VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:500mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 12 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL16N1VH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。