STL18N65M5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗与散热问题而妥协？现在，一个兼具高性能与高可靠性的解决方案已经到来。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh V系列中的明星产品STL18N65M5。这颗采用先进PowerFlat封装的N沟道MOSFET，以其高达650V的漏源电压和15A的连续漏极电流能力，为您的高压、高功率应用注入强劲动力，同时将导通损耗降至新低，让系统效率轻松跃升。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明驱动等严苛的应用场景中，STL18N65M5正以其卓越表现稳定运行。其核心优势在于MDmesh V第五代超结技术，它在相同的芯片面积下实现了更低的导通电阻（Rds(on)），在7.5A、10V条件下典型值仅为240毫欧。这意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统可靠性。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，不仅减少了开关损耗，也简化了驱动电路设计，让您在追求高频高效的同时，无需为驱动难题而烦恼。

选择STL18N65M5，就是选择了一份从容与信心。其表面贴装的PowerFlat（5x6）封装，不仅提供了优异的散热性能，还极大地节省了宝贵的PCB空间，助力您的产品实现更轻薄、更紧凑的工业设计。高达150°C的结温工作能力和57W的强大功率耗散，赋予了它无与伦比的鲁棒性，即使在环境恶劣或负载波动的工况下，也能游刃有余，保障系统长期稳定运行。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这款高性能芯片，专业的ST代理将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务。立即采用STL18N65M5，让它成为您下一代高效能电源设计的核心引擎，共同开启能效新纪元！

• 型号:STL18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL18N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。