STL19N60M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为功率器件的损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh M2系列中的明星产品STL19N60M2，这颗采用先进PowerFlat HV封装的600V N沟道MOSFET，正是为打破效率瓶颈、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高功率LED照明驱动器中，STL19N60M2能够大显身手。其600V的漏源电压和11A的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的保障。更令人振奋的是，MDmesh M2技术显著降低了导通电阻和栅极电荷，这意味着在频繁开关的工况下，开关损耗和导通损耗被双双大幅削减。您的系统将运行得更凉爽、更安静，整体效率得到显著跃升，直接转化为更低的运营成本和更长的设备寿命。

为何众多领先的设计师都信赖并选择它？因为STL19N60M2在性能与可靠性之间取得了完美平衡。其紧凑的8x8 PowerFlat HV表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，便于实现高功率密度设计，其优异的散热特性更能确保芯片在高达150°C的结温下稳定工作。选择它，就是选择了一份安心与卓越。我们作为官方授权的ST一级代理，不仅能确保您获得原装正品和具有竞争力的价格，更能提供专业的技术支持和充足的库存保障，让您的产品从研发到量产一路畅通无阻。立即采用STL19N60M2，为您的下一个电源或电机驱动项目注入强劲动力与超高效率！

• 型号:STL19N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL19N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。