STL19N65M5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要承受650V高压，同时又要兼顾高效率与紧凑布局时，选择往往变得至关重要。今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STL19N65M5。这颗源自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，以其出色的650V耐压和高达12.5A的连续漏极电流能力，为您的设计注入强劲动力。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体能效、实现小型化与高可靠性的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明驱动等严苛的应用场景中，系统需要稳定处理高电压与大电流。STL19N65M5正是为此而生。其极低的导通电阻（典型值远低于240毫欧）意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。搭配其优化的栅极电荷（Qg）特性，它能实现快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗，让您的电源模块即使在满载运行时也能保持冷静与高效。选择通过官方授权的ST代理进行采购，您获得的不仅是正品保障，更是从选型到技术支持的全方位服务。

为何众多资深工程师在面临高压高功率设计挑战时，会信赖并选择STL19N65M5？答案在于其背后强大的MDmesh V技术。这项技术通过创新的垂直结构，在相同的芯片面积内实现了更优的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这是衡量MOSFET开关品质的关键指标。更优的指标意味着您的系统可以在更高的频率下工作，从而允许使用更小、更轻的磁性元件，最终实现电源产品体积的缩小和功率密度的提升。此外，其采用先进的PowerFlat HV封装，不仅提供了卓越的散热性能（结壳热阻低），还极大地节省了PCB空间，非常适合当今追求薄型化、高集成的设计潮流。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的成功应用案例以及市场上稳定的库存支持，使其依然是许多经典和长生命周期项目的可靠选择。它代表了一个时代的性能标杆，承载着ST对功率半导体技术的深刻理解。

• 型号:STL19N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta），12.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL19N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。