STL25N15F4

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在150V高压下稳定输出25A电流，同时将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将为您的系统带来怎样的性能飞跃？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的革新之作STL25N15F4，它正是为解决这些核心挑战而生。

这款N沟道MOSFET采用了ST引以为傲的DeepGATE和STripFET技术，这不仅仅是名称的变化，更是性能的承诺。其63毫欧的超低导通电阻（在10V驱动电压下），意味着电流通过时产生的热量被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更长的设备寿命。当您将它应用于服务器电源、工业电机驱动或高频DC-DC转换器时，会立刻感受到系统运行变得更为冷静、迅捷。其高达80W的功率处理能力和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，让它无惧严苛环境，无论是自动化产线上的持续运转，还是新能源领域的不间断供电，都能提供坚如磐石的可靠性。

选择STL25N15F4，就是选择了一种面向未来的设计思路。它极低的栅极电荷（仅48nC）和优化的输入电容，使得开关速度极快，显著降低了开关损耗，这对于提升高频应用的整体效率至关重要。其紧凑的PowerFlat（5x6）封装，不仅节省了宝贵的电路板空间，更优化了散热路径，让热管理变得前所未有的轻松。我们理解，卓越的芯片需要可靠的渠道支持，选择一家资深的ST芯片代理，意味着您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到从选型到量产的全周期技术支持。让STL25N15F4成为您下一个爆款产品的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:STL25N15F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2710 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL25N15F4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。