STL260N4F7

在追求极致能效的今天，您的电源管理系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够承载120A大电流、同时将导通电阻降至仅1.1毫欧的功率开关，将为您的设计带来怎样的性能飞跃？答案就在STL260N4F7之中。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的STripFET F7技术，重新定义了40V电压等级下功率器件的性能标杆。它不仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

无论是服务器和数据中心里要求严苛的DC-DC转换模块，还是新能源汽车中高效的电驱与电池管理系统，甚至是工业自动化设备里需要可靠开关的电机驱动，STL260N4F7都能游刃有余。其高达188W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在最恶劣的环境下依然稳定可靠。这意味着您的产品可以更紧凑、更高效，同时拥有更长的使用寿命和更低的故障率，直接转化为终端用户可感知的价值优势。

选择STL260N4F7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，驱动更轻松，显著降低了开关损耗，这对于提升整个电源系统的效率至关重要。其采用的PowerFlat（5x6）封装，在提供出色散热性能的同时，极大节省了宝贵的PCB空间。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST中国代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STL260N4F7成为您下一款明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STL260N4F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:188W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL260N4F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。