STL2N80K5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和空间布局而妥协？让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STL2N80K5。这款来自ST意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，以其800V的卓越耐压和仅为4.9欧姆的低导通电阻，为您带来了前所未有的效率提升。它不仅仅是一个开关，更是您实现高可靠性、高功率密度设计的秘密武器，让能量转换过程更加丝滑流畅，将每一分电能都用在刀刃上。

想象一下，在那些对空间和效率都极为苛刻的应用场景中，STL2N80K5正大放异彩。无论是紧凑型开关电源（SMPS）、LED照明驱动，还是辅助电源和家电中的功率控制单元，它都能轻松胜任。其PowerFlat（5x6）超薄封装，完美解决了传统TO-220封装占板面积大、散热难的问题，让您的PCB布局更加灵活，产品外观更加纤薄。在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，确保了从严寒到酷热的各种环境下，您的设备都能持续可靠地运行。

选择STL2N80K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接助力于提升系统整体能效，轻松满足日益严苛的能效标准。对于寻求稳定供应和专业技术支持的客户，通过权威的ST中国代理进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能获得本地化的快速响应与全面的应用支持。让这颗凝聚了SuperMESH5尖端技术的芯片，成为您下一代产品在性能与成本间找到最佳平衡点的关键支点，助力您的创意更快地转化为市场上的竞争优势。

• 型号:STL2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:33W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL2N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。