STL33N60DM2

当您的下一代电源设计面临效率与尺寸的双重挑战时，您是否在寻找一个能同时兼顾高性能与高可靠性的解决方案？答案或许就藏在STL33N60DM2这颗功率器件之中。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh DM2技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压、高频应用而生，旨在帮助您突破设计瓶颈，将产品性能提升到一个全新的水平。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，能量转换的效率每提升一个百分点，都意味着可观的运营成本节约和更长的设备寿命。STL33N60DM2正是为此而来。其600V的漏源电压和21A的连续电流能力，为系统提供了坚固的耐压与载流基础。而核心的MDmesh DM2技术，通过优化的单元结构和垂直布局，显著降低了导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）。这意味着在开关过程中，导通损耗和开关损耗被双双抑制，系统整体效率得以大幅优化，让您的设备运行得更“冷静”、更持久。

选择STL33N60DM2，就是选择了一份从容与信心。其采用的PowerFlat HV（8x8）封装，在提供出色散热性能的同时，极大地节省了PCB板空间，让您的设计可以朝着更轻薄、更紧凑的方向迈进。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作，大大提升了终端产品的环境适应性和可靠性。无论您是在设计新一代的UPS、太阳能逆变器，还是高性能焊接设备，这颗芯片都能成为您电路中值得信赖的“能量开关”。如果您正在寻找可靠的技术支持和供货保障，专业的ST中国代理将是您坚实的后盾，助您快速将创新想法转化为市场领先的产品。

• 型号:STL33N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL33N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。