STL36N55M5

当您需要在高功率应用中实现卓越的能效与可靠性时，是否曾为选择一款性能与成本完美平衡的功率开关器件而犹豫？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案STL36N55M5。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其550V的耐压能力和高达22.5A的连续漏极电流，正迅速成为工业电源、电机驱动和新能源转换系统中的明星选择。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源单元中，它如何以极低的导通电阻（仅90毫欧）大幅降低开关损耗，让热量不再是性能的瓶颈；在电动汽车的充电桩或光伏逆变器中，其MDmesh V技术带来的快速开关特性和卓越的雪崩耐量，确保了系统在严苛环境下依然稳定如山。无论是追求紧凑设计的消费类快充，还是要求长寿命、高可靠的工业设备，STL36N55M5都能无缝融入，将高效的功率转换从设计蓝图变为现实体验。

选择它，意味着您选择了经过市场验证的MDmesh V产品家族的卓越基因。其优化的栅极电荷（Qg）和电容特性，让驱动电路设计更为简单，系统开关频率得以提升，从而允许使用更小的磁性元件，最终帮助您缩小产品体积、降低整体成本。其PowerFlat HV封装不仅提供了出色的散热性能，其表面贴装形式也完全契合现代自动化生产的需求，助力您加速产品上市。当您与值得信赖的ST代理商合作时，您获得的将不仅是这颗高性能芯片，还有从技术支援到稳定供应链的全方位保障。让STL36N55M5成为您下一个成功项目的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:STL36N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL36N55M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。