STL40N10F7

在追求极致能效的电力电子世界里，您是否还在为功率转换的损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够显著降低导通电阻，同时保持卓越开关性能的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的革新之作STL40N10F7，它正是为解决这些核心挑战而生。

这款N沟道MOSFET集成了ST引以为傲的DeepGATE和STripFET VII技术，在100V的电压等级下，能够持续承载高达40A的电流。其最引人注目的亮点在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、10A电流条件下，最大值仅为24毫欧。这意味着在相同的负载下，芯片自身的功耗将大幅降低，更多的电能被高效地输送到负载端，而不是以热量的形式白白浪费。更低的损耗直接带来了更低的温升和更简化的散热设计，让您的系统运行更凉爽、更可靠。无论是面对工业电机驱动中频繁的启停，还是通信电源里要求严苛的能效标准，它都能游刃有余，确保动力澎湃而稳定。

其应用场景极为广泛，几乎涵盖了所有需要高效功率开关的领域。在服务器和电信设备的DC-DC转换器中，它能够提升整机效率，帮助客户轻松满足80 PLUS钛金级等严苛认证。在新能源领域，如光伏逆变器的MPPT（最大功率点跟踪）电路或储能系统的双向转换器中，其优异的开关特性（栅极电荷Qg最大值仅19nC）确保了快速响应和高频运行，最大化捕获每一份绿色能量。对于电动工具、无人机电调这类需要瞬间爆发大电流的场合，STL40N10F7强大的电流处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C结温）提供了坚实的保障。甚至在新兴的汽车电子领域，如车载充电机(OBC)和低压辅助驱动，其稳定性和高效性也备受青睐。

选择STL40N10F7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它采用先进的PowerFlat（5x6）封装，在紧凑的尺寸内实现了出色的散热性能和功率密度，非常适合当今设备小型化的趋势。从原型设计到批量生产，您可以完全信赖其一致性和可靠性。我们作为专业的ST授权代理，不仅确保您获得原装正品，更能提供深度的技术支持和灵活的供应链服务，陪伴您的产品从蓝图走向成功。当您下一次设计需要一颗高效、可靠、紧凑的100V/40A功率开关时，STL40N10F7无疑是您最明智、最有力的选择，让它为您的创意注入强劲而高效的动力核心。

• 型号:STL40N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL40N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。