STL7N80K5

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭800V高压与高效开关性能的功率器件，将如何彻底改变您的产品格局。现在，答案就在STL7N80K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，更是面向未来高效能源转换的智慧结晶。它基于业界领先的SuperMESH5技术打造，将超低的导通电阻与卓越的开关特性融为一体，旨在为您解锁前所未有的功率密度与可靠性。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是日益精进的LED照明与充电桩系统，STL7N80K5都能游刃有余。其800V的漏源电压（Vdss）提供了坚固的安全裕度，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而仅1.2欧姆的导通电阻（最大值），意味着在传导过程中更少的能量以热的形式浪费，直接提升了系统的整体效率。对于空间受限的紧凑型设计，其表面贴装的PowerFlat（5x6）封装更是福音，在节省宝贵板面积的同时，优异的封装热性能确保了高达42W的功率耗散能力，让散热设计不再棘手。

选择STL7N80K5，就是选择为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。它极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了驱动损耗，让开关频率得以提升，从而允许使用更小、更轻的磁性元件，有效降低系统成本和体积。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷热，性能始终稳定如一。当您寻求可靠的原厂品质与技术支持时，通过官方授权的ST代理商进行采购，无疑是保障供应链稳定与获得正品支持的最佳途径。立即采用STL7N80K5，迈出打造下一代高效、紧凑、可靠功率系统的关键一步，让您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STL7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL7N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。