STL7NM60N

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的散热与体积问题而妥协？现在，一个卓越的解决方案已经到来STL7NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和5.8A的连续电流能力，为您打开了高效功率转换的新大门。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh II先进技术的结晶，旨在将卓越的性能与出色的热管理融为一体，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，STL7NM60N正扮演着能量高效流转的核心角色。其低至900毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗，直接转化为更少的发热和更高的系统效率。无论是工业自动化设备中需要稳定可靠的电机控制，还是消费类适配器追求小型化与低待机功耗，这颗芯片都能轻松应对。其表面贴装的14-PowerFLAT封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能确保器件在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，让您的设计无惧严苛环境挑战。

选择STL7NM60N，就是选择了一份由顶尖技术与可靠品质共同铸就的保障。它继承了ST在功率半导体领域的深厚积淀，MDmesh II技术显著优化了开关性能与导通电阻的平衡。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和经过市场长期验证的可靠性，使其成为许多经典和延续性项目的理想之选。为确保您获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方ST授权代理进行采购。让这颗强大的“能量心脏”，为您的下一个创新注入澎湃而持久的动力。

• 型号:STL7NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.8A 14PWRFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:68W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:14-PowerVQFN
• STL7NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。