STP12NM50FP

当您需要一款能在高压环境下稳定输出、同时保持出色能效表现的功率器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STP12NM50FP这颗来自意法半导体的明星产品中。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是工程师应对复杂电力转换挑战的可靠伙伴，其背后凝聚的MDmesh技术，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，让您的系统从设计之初就站在了高起点上。

想象一下，在工业电源、电机驱动或是照明镇流器的核心电路中，STP12NM50FP正默默发挥着关键作用。它那高达500V的漏源电压和12A的连续漏极电流能力，为系统提供了坚实的耐压与载流保障，确保在突发的电压波动或负载变化时，设备依然能够平稳运行，大幅提升了终端产品的可靠性与使用寿命。无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致效率的消费类电子应用，它都能游刃有余。

选择STP12NM50FP，就是选择了一份经得起验证的品质与性能。其极低的导通电阻（典型值仅350毫欧）直接转化为更少的热量损耗，让您的散热设计更轻松，系统整体能效显著提升。而优化的栅极电荷特性，则有助于降低驱动损耗，实现更快的开关频率，为设计紧凑、高效的高频电源方案铺平道路。更令人安心的是，通过值得信赖的ST中国代理，您可以便捷地获得正品货源与专业的技术支持，确保从样品到量产全程无忧。这颗采用经典TO-220FP封装的器件，以其卓越的功率密度和宽泛的工作温度范围（-65°C至150°C），正等待着为您的下一个创新项目注入强大而持久的动力。

• 型号:STP12NM50FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP12NM50FP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。