STL80N4LLF3

在追求极致能效的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够在高电流下保持超低导通电阻的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在STL80N4LLF3。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达80A的连续漏极电流和低至5毫欧的导通电阻，为您带来前所未有的高效能体验。它不仅仅是参数的堆砌，更是性能与可靠性的完美融合，旨在将您的产品推向效率的巅峰。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是汽车电子中不可或缺的负载开关，STL80N4LLF3都能游刃有余。其采用的先进STripFET技术，确保了在紧凑的PowerFlat封装内实现卓越的功率处理能力和散热性能。这意味着您可以在更小的空间内实现更大的功率密度，让您的终端产品在竞争中脱颖而出，不仅运行更冷静，响应也更迅捷。选择它，就是为您的核心动力单元注入了强劲而稳定的心脏。

为何众多工程师在关键设计中信赖STL80N4LLF3？因为它提供了清晰的价值主张：在40V的电压平台上，实现极低的传导损耗和开关损耗。其优化的栅极电荷（Qg）特性，让驱动设计变得更为轻松，显著降低了系统的整体功耗。对于寻求稳定供应和专业技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购，无疑是获得正品保障和可靠货源的最佳途径。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、卓越的性能以及在众多经典应用中的验证，使其依然是特定高要求项目或库存备货的明智之选，持续为您的创新保驾护航。

• 型号:STL80N4LLF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2530 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL80N4LLF3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。