STN1NK80Z

当您需要一款能在高压环境中稳定运行，同时兼顾紧凑设计与高效表现的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STN1NK80Z这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场竞争力的关键伙伴。源自意法半导体备受赞誉的SuperMESH技术平台，这颗芯片天生就为应对严苛挑战而生，其800V的漏源电压能力，如同为您的电路系统构筑了一道坚固的防线，让高压波动不再是设计的噩梦。

想象一下，在那些对空间和可靠性要求都极为苛刻的应用场景里，比如紧凑型开关电源的初级侧、LED驱动、家用电器辅助电源或是工业控制模块，STN1NK80Z的价值将得到淋漓尽致的展现。它采用小巧的SOT-223封装，却能轻松处理高达2.5W的功率耗散，在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，这意味着您的产品可以适应从酷寒到炎热的多样化环境，可靠性大幅提升。其低至7.7nC的栅极电荷和优化的导通电阻，直接转化为更快的开关速度和更低的导通损耗，让您的电源系统效率更高，温升更低，整体性能更加静默而强大。

选择STN1NK80Z，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与持续的技术支持。它不仅能帮助您简化电路设计，减少外围元件，更能加速您的产品上市进程。当您需要获取样品、技术资料或批量采购支持时，遍布全球的ST代理网络随时准备为您提供专业、高效的服务。无论是追求极致效率的工程师，还是关注供应链稳定的采购专家，这颗集高性能、高可靠性与高性价比于一身的MOSFET，都是您打造下一代明星产品时不容错过的明智之选。让它成为您设计蓝图中的核心动力，开启高效、可靠的能量控制新篇章。

• 型号:STN1NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN1NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。