STP10NK70Z

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率场景下的开关损耗与散热难题？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STP10NK70Z。这颗来自ST意法半导体的SuperMESH系列功率MOSFET，以其高达700V的漏源电压和8.6A的连续漏极电流，为您的高压开关应用筑起坚实的性能堡垒。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是高效照明镇流器中，STP10NK70Z正发挥着核心作用。其卓越的SuperMESH技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），在4.5A、10V条件下最大值仅为850毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。当电路频繁开关时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关速度，进一步减少了开关损耗，让您的系统整体效率跃升新台阶，运行起来更凉爽、更安静。无论是工业电机驱动、UPS不同断电源，还是各类离线式电源转换器，它都能游刃有余，稳定担当高压侧开关的重任。

选择STP10NK70Z，就是选择了一份经久考验的可靠性。TO-220AB的经典封装提供了优异的散热能力和便捷的安装方式，配合高达150W（Tc）的功率耗散能力，确保芯片在-55°C至150°C的严苛结温范围内稳定工作。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础使其在存量市场和特定项目中依然极具价值。为了确保您能获得正品货源与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST芯片代理进行采购。让这颗凝聚了ST尖端技术的功率器件，为您的下一个创新项目注入强劲而高效的动力，助您轻松攻克高压功率设计挑战，赢得市场先机。

• 型号:STP10NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NK70Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。