STP11N52K3

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否仍在为高压开关损耗和热管理难题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STP11N52K3。这颗来自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，以其高达525V的漏源电压和10A的连续漏极电流，为您的高压应用筑起一道坚固的性能防线。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、降低运营成本的强大引擎。

想象一下，在开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制等关键应用中，STP11N52K3能够轻松应对严苛的高压环境。其核心价值在于SuperMESH3技术带来的革命性低导通电阻，在5A电流、10V驱动电压下，Rds(On)最大值仅为510毫欧。这意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，让您的设备即使在满负荷运行时也能保持冷静与高效。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了极快的开关速度，显著降低了开关损耗，让整个系统的能效表现跃升至全新高度。

选择STP11N52K3，就是选择了一份安心与远见。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和TO-220封装带来的出色散热能力，赋予了产品无与伦比的鲁棒性与长寿命。无论是应对工业环境的剧烈温度波动，还是保证消费类产品的持久稳定，它都游刃有余。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场验证，使其成为库存优化或特定高可靠性项目中的明智之选。为确保您获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过授权的ST一级代理进行采购。让这颗凝聚尖端技术的功率器件，成为您下一个成功产品的坚实基石，助您在设计竞赛中遥遥领先。

• 型号:STP11N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 10A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:510 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11N52K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。