STF26N60M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与20A大电流，并将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能格局。这正是STF26N60M2为您带来的核心价值它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、缩小产品体积并降低整体成本的强大引擎。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便更加熠熠生辉。无论是工业电机驱动中需要频繁启停和精准控制的严苛环境，还是开关电源（SMPS）里对效率和功率密度永无止境的追求，甚至是UPS不间断电源和电焊机这类要求极高可靠性的领域，STF26N60M2都能凭借其卓越的MDmesh技术架构，游刃有余地应对挑战。其高达600V的漏源击穿电压和150°C的最大结温，意味着它在恶劣工况下依然能保持稳定输出，让您的终端产品无惧电压浪涌与高温考验，赢得市场持久的信任。

选择STF26N60M2，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装便利性，更优化了散热路径，让30W的功率耗散能力得以充分发挥，有效降低系统热设计压力。更低的导通电阻直接转化为更少的导通损耗，更高的开关频率潜力则有助于您使用更小的磁性元件，从而实现系统整体的小型化和轻量化。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能利器，专业的ST代理将为您提供从技术选型到供应链支持的全方位服务。让STF26N60M2成为您下一代高性能电源与驱动设计的基石，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STF26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF26N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。