STP3NK50Z

当您需要一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾成本效益的功率开关解决方案时，是否曾为选型而犹豫？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您推荐意法半导体的明星产品STP3NK50Z。这款N沟道功率MOSFET，凭借其高达500V的漏源电压和2.3A的连续漏极电流能力，天生就是为应对严苛的工业环境而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品可靠性、优化系统效率的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，无论是反激式还是正激式拓扑，STP3NK50Z都能轻松胜任主开关或辅助开关的角色，确保能量高效、稳定地转换。在照明领域，无论是LED驱动还是电子镇流器，它都能提供精准的功率控制，点亮更持久、更节能的光明。而对于那些需要电机调速或继电器驱动的工业设备，这颗芯片同样能提供坚固耐用的开关性能，保障生产线的顺畅运行。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，意味着它无惧酷暑与严寒，在各种极端气候下都能保持稳定输出。

选择STP3NK50Z，就是选择了一份来自意法半导体SuperMESH技术的品质保证。这项先进技术显著降低了导通电阻，在10V驱动电压下，其Rds(On)最大值仅为3.3欧姆，这意味着更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，驱动电路的设计也更为简化，有效帮助您缩短开发周期，降低系统复杂性和总成本。尽管该型号已不适用于全新设计，但对于大量现有成熟产品的维护、升级或成本优化项目而言，它依然是经过市场长期验证的可靠之选。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST代理进行采购，确保产品来源正宗，服务无忧。

• 型号:STP3NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 1.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。