STP12N120K5

当您的电源设计面临高压、高功率的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能扛住1200V高压冲击，又能实现高效低损耗的“心脏”而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STP12N120K5。这颗N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能和可靠性，正重新定义高压应用领域的能效标准，是您打造下一代高性能电源系统的理想基石。

想象一下，在工业电机驱动、大功率开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）乃至新能源领域的太阳能逆变器中，稳定与高效是永恒的主题。STP12N120K5正是为此而生。它高达1200V的漏源击穿电压和12A的连续漏极电流，为系统提供了坚固的安全边际，从容应对电网波动和负载突变。其核心价值在于MDmesh K5超结技术的加持，这项技术显著优化了器件内部的电荷平衡，使得在承受极高电压的同时，导通电阻（Rds(on)）被大幅降低至仅690毫欧。这意味着什么？意味着更低的导通损耗，更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。当您的设备在满负荷运行时，芯片自身产生的热量更少，散热设计可以更简化，系统整体能效得以显著提升。

选择STP12N120K5，您选择的不仅仅是一个元器件，更是一套经过市场验证的高可靠性解决方案。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），让开关过程更加迅速、干净，有效减少了开关损耗，这对于追求高频高效运作的现代电源拓扑至关重要。同时，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作。经典的TO-220封装，兼顾了优异的散热性能和成熟的工艺兼容性，让您的生产导入轻松无虞。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持，我们作为专业的ST芯片代理，将为您提供从样品到量产的全方位服务支持。让STP12N120K5成为您产品竞争力的强大引擎，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP12N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12N120K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。