STP12N60M2

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP12N60M2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其600V的漏源电压和9A的连续漏极电流能力，天生就是为高效能量转换而生的强者。它采用了先进的MDmesh M2技术，将导通电阻（Rds(on)）显著降低，这意味着更低的传导损耗和更凉爽的运行温度，直接为您的产品注入持久的活力与可靠性。

无论是开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路，还是电机驱动和照明镇流器，STP12N60M2都能游刃有余地应对。想象一下，在您的工业变频器或UPS不间断电源中，这颗芯片以其高达85W的功率处理能力和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保系统在苛刻环境下依然稳定输出。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更加迅速、干净，极大地减少了开关损耗，提升了整体系统的频率响应和效率，让您的终端设备在竞争中脱颖而出。

选择STP12N60M2，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。TO-220的经典封装形式，不仅便于安装和散热，也经过了全球无数应用的验证。其背后是ST意法半导体强大的技术支撑和品质承诺。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，我们的合作伙伴资深的ST芯片代理将为您提供从选型到量产的一站式服务。让这颗集高性能、高可靠性与高性价比于一身的功率MOSFET，成为您下一代绿色、智能电源设计的核心动力，轻松驾驭600V高压平台，释放前所未有的能效潜力。

• 型号:STP12N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。