STP12NK30Z

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否正在寻找一款能够平衡成本与性能的功率开关解决方案？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的明星产品STP12NK30Z。它不仅仅是一个MOSFET，更是SuperMESH技术家族的杰出代表，专为应对严苛的中高压应用而生。想象一下，在开关电源、电机驱动或照明镇流器的核心位置，一颗芯片正以卓越的能效和坚固的可靠性默默工作，为您的终端产品注入持久的生命力，这正是STP12NK30Z所能带来的核心价值。

当我们将目光投向实际应用，STP12NK30Z的身影无处不在。在您家中的高效LED驱动电源里，它凭借高达300V的漏源电压和仅400毫欧的低导通电阻，显著降低了开关损耗和导通损耗，让电能转换更加“绿色”。在工业电机控制模块中，其9A的连续漏极电流能力和快速的开关特性，确保了电机启停的精准与平滑，提升了整体系统的响应速度和稳定性。即便是面对功率因数校正（PFC）这类对器件要求极高的电路，STP12NK30Z宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和强大的90W功率耗散能力，也让它游刃有余，成为工程师信赖的基石。选择它，就是为您的设计选择了一份从容应对各种复杂工况的保障。

那么，在众多同类产品中，为何STP12NK30Z能脱颖而出？答案在于其背后精密的工程设计与久经考验的可靠性。意法半导体成熟的TO-220AB封装不仅提供了优异的散热性能，便于安装，更象征着工业级的品质标准。极低的栅极电荷（仅35nC）意味着您可以用更简单的驱动电路实现高速开关，从而简化系统设计，降低成本。更重要的是，通过值得信赖的ST代理商，您可以获得稳定的供货渠道、专业的技术支持以及原厂的质量保证，让您的项目从研发到量产全程无忧。STP12NK30Z不仅仅是一个元件，它是一个经过优化的解决方案，旨在帮助您缩短开发周期，提升产品竞争力，最终在市场上赢得先机。

• 型号:STP12NK30Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NK30Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。