STP12NM50FD

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款兼具高性能与成本优势的功率开关器件而反复权衡？今天，我们将为您介绍一款在工业电源、电机驱动等领域久经考验的经典之选STP12NM50FD。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是意法半导体FDmesh技术平台下，为高效能应用量身打造的动力核心。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，需要处理高达500V的电压，同时承载持续的电流。STP12NM50FD以其卓越的500V漏源电压和12A的连续漏极电流能力，为您构筑起坚实的第一道防线。其低至400毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着更低的导通损耗，电能得以更高效地传输，而非浪费在发热上。这直接转化为您的终端产品无论是服务器电源、工业照明驱动器还是UPS系统能够运行得更凉爽、更稳定，寿命也得以显著延长。

这款MOSFET的价值，在电机控制、电焊机、功率因数校正（PFC）等动态要求苛刻的场景中尤为凸显。其快速的开关特性和优化的栅极电荷（Qg），确保了精准的控制响应，让电机启停更顺滑，让电源输出波形更纯净。宽广的-65°C至150°C结温工作范围，赋予了它从容应对严苛环境挑战的底气，从炎热的车间到寒冷的外部设备箱，性能始终如一。经典的TO-220AB封装，不仅提供了出色的散热能力，也简化了您的生产装配与维修流程。

选择STP12NM50FD，就是选择了一份经过市场验证的可靠性背书。它代表了意法半导体在高压功率MOSFET领域的深厚积淀，FDmesh技术确保了在高压与高速开关性能间取得最佳平衡。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用基础，使其在存量市场、特定项目或对经典方案有持续需求的领域，依然拥有不可替代的价值。为确保您能获得正品货源与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让这颗经典的功率芯片，继续为您的创新产品注入高效、可靠的动力源泉，助您在市场竞争中赢得先机。

• 型号:STP12NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NM50FD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。