STP130NH02L

想象一下，您的电源管理系统正面临效率瓶颈，每一次开关损耗都在悄悄吞噬着宝贵的能源与利润。现在，有一个解决方案能将导通电阻降至惊人的4.4毫欧，让高达90A的电流如丝般顺滑地通过。这就是STP130NH02L带来的变革力量，它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升能效、释放系统潜能的钥匙。

在24V应用的世界里，无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高密度DC-DC转换器，对功率器件的严苛要求从未停止。STP130NH02L凭借其N通道设计与STripFET技术，在10V驱动下展现出极低的导通损耗，这意味着在相同的输出功率下，您的设备发热更少，散热设计可以更简洁，系统可靠性却大幅提升。其高达150W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保它在恶劣环境下依然稳定如山，让您的产品从容应对各种挑战。

为何众多工程师在面临关键选型时，会倾向于选择这款产品？答案在于它卓越的价值平衡。极低的栅极电荷（93nC）与输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关频率、缩小磁性元件体积至关重要。TO-220的经典封装提供了坚固的机械性能和成熟的散热方案，易于集成到现有设计中。虽然该型号已停产，但通过可靠的ST芯片代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的延续性与安全性。选择STP130NH02L，就是选择了一份经过市场验证的性能承诺，它能让您的设计在效率、功率密度和成本之间找到那个完美的黄金平衡点。

• 型号:STP130NH02L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 90A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP130NH02L的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。