STP13NK60Z

当您的电源设计需要在600V高压下稳定运行，同时还要兼顾效率与成本时，您是否曾为寻找一颗性能与可靠性兼备的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前STP13NK60Z，这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，正是为应对严苛应用而生的高效解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的得力助手。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业逆变器的核心电路中，STP13NK60Z正以其卓越的性能默默工作。它采用先进的SuperMESH技术，将高达600V的漏源电压（Vdss）与13A的连续漏极电流承载能力集于一身。这意味着在应对市电整流后的高压母线或电机反电动势时，它能提供坚固的安全裕量，让您的设计更加从容不迫。其极低的导通电阻（Rds(on)最大值仅550毫欧）直接转化为更低的导通损耗，热量减少了，效率提升了，产品的续航能力或输出功率自然就上去了，这正是高效能设计的精髓所在。

选择STP13NK60Z，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。ST意法半导体的品牌保障，意味着每一颗芯片都经过严格测试，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。其TO-220AB封装不仅成熟可靠、易于焊接和散热，还经过了市场的长期验证。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让驱动电路设计更简单，开关速度更快，进一步优化了整个系统的开关损耗。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，别忘了我们正是您值得信赖的ST一级代理，能为您提供从选型到供应的全程服务。让STP13NK60Z成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠、节能的新篇章。

• 型号:STP13NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。