STP15NK50Z

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要控制成本和空间时，您是否曾为寻找一颗性能与可靠性兼备的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体的明星产品STP15NK50Z，这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，正是为应对严苛挑战而生的高性能解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、确保系统长期稳定运行的得力伙伴。

想象一下，在开关电源（SMPS）的PFC或主开关电路中，在电机驱动和照明镇流器的核心位置，甚至在工业自动化设备的功率模块里，STP15NK50Z都能大显身手。它高达500V的漏源电压和14A的连续漏极电流，赋予了它强大的功率处理能力，轻松应对各种高压大电流场景。其卓越的导通电阻特性（低至340毫欧），意味着更低的传导损耗和发热，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。无论您的应用环境多么复杂，这颗芯片都能提供坚实的性能保障。

选择STP15NK50Z，就是选择了一份安心与价值。它来自全球半导体领导者意法半导体，其SuperMESH技术确保了器件在开关速度、导通损耗和耐用性之间达到了精妙的平衡。高达160W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-50°C至150°C），让它无惧高温严寒，在各种极端条件下依然稳定可靠。经典的TO-220AB封装，不仅便于安装和散热，也经过了市场的长期验证。如果您正在通过可靠的ST代理渠道进行采购，您将获得正品保障和全面的技术支持。让STP15NK50Z成为您下一个成功设计的基石，它将用卓越的性能，为您的产品注入强大的动力与持久的生命力。

• 型号:STP15NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP15NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。