STP16N65M2

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否仍在为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STP16N65M2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其MDmesh M2技术的卓越基因，将650V的耐压能力与极低的导通电阻完美结合，为您开启高效、紧凑且可靠的设计新纪元。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，STP16N65M2能够轻松应对严苛的工作环境。其高达11A的连续漏极电流和仅360毫欧的超低导通电阻，意味着更小的传导损耗和更低的温升，让您的设备在长时间满负荷运行时依然保持冷静与稳定。无论是工业自动化领域的变频器，还是消费电子中的高效适配器，这颗芯片都能确保能量以最高效的方式转换与传递，显著提升整机效率，并有效延长使用寿命。

选择STP16N65M2，就是选择了一份经得起验证的品质与性能保障。ST意法半导体深厚的工艺积累，赋予了它优异的动态特性，如更低的栅极电荷和输入电容，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以设计得更高，从而使用更小的磁性元件，实现整体方案的微型化。其坚固的TO-220封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST一级代理渠道将为您提供从选型到量产的全方位服务，让创新之路畅通无阻。立即采用STP16N65M2，为您的下一个设计注入澎湃动力与非凡可靠性！

• 型号:STP16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。