STP16NK60Z

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要应对复杂的散热挑战时，您是否在寻找一个可靠的解决方案？答案或许就藏在STP16NK60Z这颗强大的功率开关之中。作为ST意法半导体SuperMESH家族的明星成员，它不仅仅是一个MOSFET，更是您构建坚固、高效电力系统的基石。其高达600V的漏源电压和14A的连续漏极电流能力，意味着它能轻松驾驭严苛的工业环境，将高电压、大电流的挑战转化为稳定输出的优势，让您的产品在性能与可靠性上脱颖而出。

想象一下，在开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）乃至工业照明镇流器的核心电路中，STP16NK60Z正默默发挥着关键作用。它卓越的导通电阻（低至420毫欧）和优化的栅极电荷特性，直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，这不仅提升了整体能效，减少了热量产生，也让您的系统设计可以更加紧凑。在追求绿色节能和功率密度的今天，这种高效能表现正是工程师们梦寐以求的。通过与专业的ST代理商合作，您可以获得关于这颗芯片在具体应用中的深度技术支持和选型指导。

选择STP16NK60Z，就是选择了一份来自ST意法半导体的品质承诺。其TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，高达190W的功率耗散能力确保了其在高温工作点下的长期稳定性。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证和可能存在的库存或替代方案，对于许多经典产品升级或特定项目而言，依然具有极高的价值。它代表的是一种经过时间考验的稳健设计哲学，能够帮助您有效控制风险，加速产品上市进程，最终在激烈的市场竞争中，凭借其核心部件的卓越表现赢得用户的持久信赖。

• 型号:STP16NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。