STP18N60M6

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP18N60M6。这款来自ST意法半导体MDmesh M6系列的高压MOSFET，以其突破性的性能，正在重新定义600V应用场景的能效标准。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能元件。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明镇流器中，能量转换的每一个环节都至关重要。STP18N60M6凭借其仅为280毫欧的超低导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷（Qg），能显著降低导通损耗和开关损耗。这意味着在相同的输出功率下，您的设备发热更少，效率更高，系统可以运行得更凉爽、更稳定。其高达13A的连续漏极电流和600V的漏源电压额定值，赋予了它强大的功率处理能力，轻松应对严苛的工业环境与瞬间浪涌冲击。

为何越来越多的工程师在众多选项中青睐STP18N60M6？答案在于它卓越的价值平衡。MDmesh M6技术实现了导通电阻与栅极电荷之间近乎完美的权衡，这对于高频开关应用（如PFC电路、反激/正激变换器）至关重要，能直接提升系统的工作频率和功率密度。同时，其坚固的TO-220封装确保了出色的散热性能和机械可靠性，简化了您的散热设计。选择它，就是选择了一份由尖端技术和成熟工艺背书的质量承诺。若您需要可靠的技术支持与供货保障，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。

从家用电器到新能源基础设施，对高效、紧凑、可靠功率转换的需求从未如此迫切。STP18N60M6正是为满足这一时代需求而生。它让您的设计摆脱能效瓶颈，在提升产品性能的同时，有效控制整体成本。立即将STP18N60M6纳入您的下一代设计，亲身体验它如何以稳定的输出和卓越的效率，成为您电力系统核心中沉默而强大的基石，驱动创新，赢取市场先机。

• 型号:STP18N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。