STP18N65M5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STP18N65M5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其MDmesh V技术的卓越基因，将650V的耐压能力与仅为220毫欧的超低导通电阻完美结合，为您带来前所未有的高效率与功率密度。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高性能LED照明驱动器中，STP18N65M5正以其出色的性能稳定运行。其高达15A的连续漏极电流和110W的强大功率处理能力，确保系统即使在严苛环境下也能游刃有余。更低的栅极电荷（仅31nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源拓扑轻松实现更高的工作频率，从而缩小磁性元件体积，让整个设计更加紧凑、轻量化。无论是面对频繁启停的电机控制，还是要求极高转换效率的PFC电路，它都能提供坚实而高效的功率开关支持。

选择STP18N65M5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。ST意法半导体的MDmesh V技术专为优化开关性能而生，在降低导通电阻的同时，显著改善了体二极管的反向恢复特性，有效减少了开关噪声和EMI挑战。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220封装，赋予了产品卓越的耐用性和散热性能。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，通过官方授权的ST代理进行采购，无疑是保障项目顺利推进、获取正品与原厂服务的最佳途径。让STP18N65M5成为您下一个明星产品的核心动力，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。