STP19NB20

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为功率器件的导通损耗和散热问题而困扰？当系统效率每提升1%都意味着可观的成本节约时，选择一颗性能卓越的MOSFET至关重要。现在，让我们向您介绍一款历经市场验证的功率开关解决方案STP19NB20。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的强大引擎。

这颗源自意法半导体PowerMESH技术平台的N沟道MOSFET，拥有200V的耐压和高达19A的连续电流处理能力，专为应对严苛的中高压开关应用而生。其核心魅力在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下仅180毫欧，这意味着在相同的负载电流下，它能将更多的电能传递给负载，而非转化为令人头疼的热量。更低的损耗直接转化为更高的系统效率、更小的散热器需求以及更紧凑的产品设计，让您的电源、电机驱动或照明系统在性能与成本之间找到完美平衡点。

无论是工业变频器中的逆变桥臂，还是服务器电源的PFC电路，亦或是新能源领域的充电桩模块，STP19NB20都能游刃有余。其快速的开关特性（Qg仅40nC）确保了高频工作下的低开关损耗，而高达150°C的结温能力和TO-220AB的经典封装，则赋予了它卓越的功率处理能力和便捷的安装方式。这意味着您的设计可以适应更广泛的环境温度，并拥有更长的使用寿命。当您需要稳定可靠的供应链和技术支持时，可以随时联系我们的ST中国代理，获取从选型到量产的全方位服务。

选择STP19NB20，就是选择了一份来自全球半导体领袖的技术保障。它虽然已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的行业应用验证以及可能存在的库存或替代方案，对于许多追求稳定性和高性价比的现有项目升级或特定需求而言，依然是一个极具吸引力的选项。它代表了一个时代的经典性能，能够帮助您以经过考验的可靠方案，快速响应市场，打造出高效、耐用且具有成本优势的终端产品。让这颗强大的“电力开关”成为您下一个成功设计的坚实基石。

• 型号:STP19NB20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP19NB20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。