STP19NM50N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否正在寻找一颗能够兼顾高耐压、低损耗与出色热管理能力的功率开关解决方案？今天，我们为您带来的STP19NM50N，正是意法半导体MDmesh II系列中的一颗明星产品，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统整体竞争力的强大引擎。想象一下，在开关电源、电机驱动或照明镇流器的核心位置，一颗芯片正以高达500V的耐压和14A的连续电流承载能力，安静而高效地工作着，将电能损耗降至最低，同时将系统稳定性推向新的高度。

这颗芯片的价值，在各类严苛的应用场景中展现得淋漓尽致。无论是工业级开关电源(SMPS)需要应对的频繁开关与高功率密度挑战，还是无刷直流(BLDC)电机驱动对快速响应和低导通损耗的极致要求，甚至是LED驱动和PFC（功率因数校正）电路对效率与可靠性的双重标准，STP19NM50N都能游刃有余。其TO-220AB封装不仅提供了优异的通孔安装便利性，更确保了高达110W的功率耗散能力，让您的设备即使在高温环境下也能持续稳定运行，有效延长产品寿命，减少维护成本。

选择STP19NM50N，就是选择了一份来自技术前沿的保障。其核心的MDmesh II技术，通过优化的单元结构，实现了导通电阻(Rds(on))与栅极电荷(Qg)的卓越平衡低至250毫欧的导通电阻意味着更低的传导损耗，而仅34nC的栅极电荷则显著降低了开关损耗，让您的系统效率轻松突破瓶颈。高达150°C的结温工作能力，赋予了设计者更大的热设计余量和可靠性信心。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST中国代理团队将随时为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP19NM50N成为您下一个成功产品的坚实心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP19NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP19NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。