STP1N105K3

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高压开关应用中的损耗与散热问题而烦恼？想象一下，当您的电源设计需要承受高达1050V的电压冲击，同时还要保持高效稳定的开关性能，一颗强大的MOSFET就是您最坚实的后盾。今天，我们为您带来意法半导体SuperMESH3家族的杰出代表STP1N105K3，它正是为解决这类高压挑战而生。

这颗N沟道MOSFET的核心魅力，在于其卓越的高压耐受能力与优化的动态特性。1050V的漏源电压意味着它能在严苛的工业电源、UPS系统或照明镇流器中从容应对电压尖峰，为您的系统构筑起一道可靠的安全防线。而其11欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下），配合仅为13nC的低栅极电荷，共同实现了更低的传导损耗与开关损耗。这意味着在频繁开关的应用中，它能显著减少热量产生，提升整体能效，让您的设备运行得更凉爽、更持久。无论是面对反激式转换器中的主开关，还是功率因数校正（PFC）电路中的关键角色，它都能游刃有余。

将视野投向更广阔的应用场景，STP1N105K3的身影几乎无处不在。在工业电机驱动辅助电源中，它确保控制电路稳定供电；在高压LED驱动领域，它助力实现精准的恒流控制与高效转换；甚至在一些需要高压隔离或缓冲的特定电路中，其TO-220的经典封装也便于散热设计和生产焊接。选择它，不仅仅是选择了一个元器件，更是选择了一套经过市场验证的高压解决方案。其SuperMESH3技术平台带来的性能优势，让设计工程师在面对高压、高可靠性要求时，能够拥有更大的设计余量和信心。

当然，卓越的产品需要可靠的渠道支持。当您决定将这颗高性能MOSFET纳入您的物料清单时，通过官方授权的ST代理商进行采购，是确保产品正宗、供应稳定并获得专业技术支持的最佳途径。尽管该型号已处于停产状态，但成熟的供应链和备货方案依然能为您的重要项目提供有力保障。让STP1N105K3成为您高压设计中的定海神针，用它历经考验的稳定性和意法半导体的技术底蕴，为您的下一代产品注入强大的竞争力与市场信任感。

• 型号:STP1N105K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:180 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP1N105K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。