STP20N65M5

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变这一局面的高性能功率器件STP20N65M5。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh V系列技术的杰出代表，以其650V的卓越耐压能力和高达18A的连续漏极电流，为您的高功率应用注入澎湃而稳定的动力源泉。这颗芯片的核心价值在于其极低的导通电阻，在9A电流、10V驱动电压下，最大值仅为190毫欧，这意味着更少的能量以热的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器这些对效率和可靠性要求严苛的场景中，STP20N65M5能够游刃有余地应对。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，显著降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的产品设计更容易通过严格的能效与安规认证。无论是应对工业环境中的电压浪涌，还是保证消费类充电设备长时间稳定运行，它都能提供坚实的保护，其宽广的-55°C至150°C结温工作范围，更是赋予了产品无与伦比的环境适应能力。

选择STP20N65M5，就是选择了一份由顶尖技术与全球供应链保障带来的安心。它传承自意法半导体的MDmesh V第五代超结技术，在导通电阻与开关性能之间取得了业界领先的平衡。经典的TO-220封装不仅提供了出色的散热性能，其高达130W的功率耗散能力也让热管理设计更为从容。更重要的是，当您通过正规的ST授权代理渠道获取此产品时，您获得的不仅是原装正品的质量保证，还有完整的技术支持、可靠的供货周期以及全面的售后服务，这为您的项目从研发到量产的全生命周期保驾护航。让STP20N65M5成为您下一个爆款产品的“心脏”，驱动创新，赢取市场先机。

• 型号:STP20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。