STP21NM60N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的性能瓶颈而困扰？当面对600V高压应用时，工程师们常常需要在导通损耗、开关速度与系统成本之间艰难权衡。现在，这一切有了更优解来自意法半导体MDmesh家族的STP21NM60N功率MOSFET，正是为打破这种平衡而生，它将卓越的性能与出色的耐用性融为一体，为您的高压开关应用注入强劲动力。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，一颗器件需要稳定承载高达17A的连续电流，并轻松应对600V的漏源电压。这正是STP21NM60N的舞台。它凭借其先进的MDmesh技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下典型值仅为220毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了更快的开关速度，让您的系统频率可以更高，磁性元件体积得以减小，整体方案更加紧凑高效。

无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是电焊机、照明镇流器，STP21NM60N都能游刃有余。其TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热能力和便捷的安装工艺，最高结温可达150°C，赋予了系统更强的过载能力和更宽的工作温度范围。这意味着您的产品能在更严苛的环境下稳定运行，寿命更长，故障率更低。当您需要可靠、高性能的功率开关解决方案时，选择经过市场验证的STP21NM60N，就是为您的产品品质上了一道坚实的保险。如果您正在寻找可靠的供货渠道，专业的ST芯片代理将是您值得信赖的合作伙伴，他们不仅能提供正品保障，还能给予及时的技术与供应链支持。

所以，当您下一次为高压大电流项目选型时，无需再犹豫。STP21NM60N不仅仅是一个参数出色的晶体管，它更是一个经过优化的能量控制枢纽，其背后是意法半导体深厚的工艺积累和对应用需求的深刻理解。选择它，就是选择了一种经过验证的可靠性、一份提升系统能效的承诺，以及一个让您的产品在竞争中脱颖而出的关键优势。让它成为您下一个成功设计的核心动力，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP21NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP21NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。