STP220N6F7

在追求极致效率的电力转换世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗功率开关器件，能在高频切换中保持惊人的低温，同时承载高达120A的连续电流，这不仅仅是参数的提升，更是系统设计自由度的革命性飞跃。今天，我们向您介绍的正是这样一款划时代的功率MOSFETSTP220N6F7，它来自意法半导体备受赞誉的STripFET F7系列，专为那些拒绝平庸、追求巅峰性能的设计而生。

当您将它应用于服务器电源、高性能DC-DC转换器或工业电机驱动时，其低至2毫欧的导通电阻将直接转化为可观的能效提升和热量减少。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更安静，同时将更多的电能精准地输送到负载，而非浪费在发热上。无论是面对严苛的工业环境，还是需要7x24小时不间断运行的数据中心，其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，都提供了坚实的可靠性保障。选择它，就是为您的产品注入了持久耐用的基因。

那么，为什么顶尖的工程师们纷纷将目光投向STP220N6F7？答案在于它无与伦比的综合价值。它不仅仅是一个开关，更是一个效率引擎。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）组合，让驱动电路设计变得异常轻松，显著降低了开关损耗，使得高频高效运行成为常态。其经典的TO-220封装，兼顾了优异的散热能力和成熟的工艺兼容性，让升级换代无缝衔接。当您需要稳定可靠的供货渠道与专业的技术支持时，我们的ST中国代理团队随时待命，为您从选型到量产的全过程保驾护航。选择STP220N6F7，就是选择用一颗芯片的卓越，点亮整个系统的卓越。

• 型号:STP220N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:237W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP220N6F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。