STP23NM50N

在追求更高能效与更紧凑设计的电源系统中，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STP23NM50N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的MDmesh II技术，将500V的耐压能力与仅为190毫欧的超低导通电阻完美结合，为您带来前所未有的高效能与可靠性。它不仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明驱动器中，能量转换的每一个环节都至关重要。STP23NM50N正是为这些严苛场景而生。其高达17A的连续漏极电流和125W的强大功率处理能力，确保系统在重载下依然稳定运行。极低的栅极电荷（仅45nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源设计在效率曲线上轻松攀上新的高峰，同时有效控制温升，延长整个系统的使用寿命。

选择STP23NM50N，就是选择了一份经得起时间考验的安心。它不仅仅提供了优异的电气参数，其经典的TO-220封装兼顾了出色的散热性能和便捷的安装方式，非常适合从原型开发到大规模生产的各种需求。当您需要可靠、高性能的功率开关解决方案时，与专业的ST芯片代理合作，确保您能获得正品货源和全面的技术支持，让您的产品从设计之初就站在巨人的肩膀上。让STP23NM50N成为您下一个成功项目的坚实基石，共同开启高效、可靠的电能新时代。

• 型号:STP23NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP23NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。