STP26N60M2

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而烦恼？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STP26N60M2。这款来自意法半导体MDmesh M2家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和20A的连续电流能力，正在重新定义中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，STP26N60M2正以其卓越的性能稳定运行。其核心价值在于MDmesh M2专利技术，这项技术通过优化单元结构和垂直掺杂，在保持超低导通电阻的同时，显著降低了栅极电荷和开关损耗。这意味着您的系统可以实现更高的开关频率，从而让磁性元件和散热器尺寸大幅缩小，整个电源设计变得更加紧凑、轻巧。无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致效率的数据中心，它都能提供坚如磐石的可靠性和卓越的能效表现。

为什么众多领先的设计师都选择它？答案在于其带来的综合价值优势。TO-220封装提供了出色的功率耗散能力（高达169W），结合通孔安装的便利性，让热管理和生产组装都变得轻松高效。更低的损耗直接转化为更低的温升和更高的系统长期可靠性，有效延长了终端产品的使用寿命。当您需要稳定可靠的货源和全面的技术支持时，我们的ST一级代理身份确保了正品供应和快速响应，为您的项目从设计到量产全程护航。选择STP26N60M2，就是选择了一个经过市场验证的高性能平台，让您能够专注于核心创新，而无须在基础器件的可靠性上妥协，最终打造出在能效、功率密度和成本上都更具优势的下一代产品。

• 型号:STP26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:169W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP26N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。