STP270N4F3

当您的电源转换系统需要处理高达120A的电流时，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一颗能够在40V电压下稳定工作，导通电阻低至2.9毫欧的功率MOSFET，将如何彻底改变您的设计效率与可靠性？答案就藏在STP270N4F3这颗性能卓越的器件之中。

源自意法半导体备受赞誉的STripFET III技术平台，这颗N沟道MOSFET天生就是为了应对严苛的高电流应用而设计。其极低的Rds(on)特性意味着在导通状态下，电能能够以更小的阻力通过，直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。当您将它部署在服务器电源、工业电机驱动或大功率DC-DC转换器中时，它就像一位不知疲倦的高效管家，确保每一焦耳的能量都被精准、顺畅地输送，显著提升整机能效，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能耗表现脱颖而出。

从自动化产线上的电机控制器，到不断电系统(UPS)和电焊设备的核心功率模块，STP270N4F3的强健体魄（工作温度高达175°C结温）和TO-220-3的经典封装，提供了无与伦比的散热能力和安装便利性。它不仅能轻松驾驭瞬间的大电流冲击，其优化的栅极电荷（Qg）设计还确保了快速、干净的开关动作，这对于追求高频率、高功率密度的现代开关电源设计至关重要，能有效减少电磁干扰，简化您的驱动电路设计。

选择STP270N4F3，不仅仅是选择了一个参数出色的元器件，更是为您的产品注入了经久耐用的基因。它代表了在功率密度、效率和可靠性之间取得的卓越平衡。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的稳定与安全。立即将这份强大的功率处理能力融入您的下一个设计，亲身体验它如何让复杂的高功率挑战变得简单而高效。

• 型号:STP270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP270N4F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。