STP28N60DM2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够将600V高压、21A大电流与超低导通电阻完美结合的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能。答案就藏在STP28N60DM2之中。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，不仅仅是参数的简单堆砌，它代表着MDmesh DM2系列技术的巅峰，专为那些对效率与可靠性有极致要求的应用而生。

当您将它应用于服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统时，其优势将立刻显现。高达600V的漏源电压和21A的连续漏极电流，赋予了它应对严苛工况的强大底气。而核心的秘诀在于其革命性的MDmesh DM2技术，这项技术显著优化了单元结构，使得在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）可低至惊人的160毫欧。这意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传输，而不是转化为令人头疼的热量。对于设计工程师而言，这直接转化为更小的散热器尺寸、更简化的热管理设计，以及最终产品整体体积和成本的优化。

选择STP28N60DM2，就是选择了一份从容与保障。其卓越的开关特性，如优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），确保了快速、干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，还降低了电磁干扰（EMI），让您的产品更容易通过严格的认证标准。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，配合TO-220经典封装提供的强大散热能力，保证了它在各种环境下的长期稳定运行。我们作为值得信赖的ST一级代理，深知这颗芯片的价值不仅在于其本身，更在于它能为您的项目带来的整体竞争力提升让您的产品在能效、功率密度和可靠性上全面领先。

• 型号:STP28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP28N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。