STP28N65M2

当您设计的电源系统需要在高电压下稳定运行，同时还要兼顾效率和可靠性时，您是否曾为寻找一颗性能与成本完美平衡的功率开关器件而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh M2系列中的明星产品STP28N65M2。这颗N沟道功率MOSFET，以其高达650V的漏源电压和20A的连续漏极电流，为您的高压应用筑起一道坚实可靠的防线。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、简化散热设计、实现紧凑布局的得力助手。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高效照明镇流器的核心电路中，STP28N65M2正以其卓越的性能默默工作。它采用先进的MDmesh M2技术，将超低的导通电阻（典型值仅180毫欧@10A）与优化的栅极电荷（Qg）完美结合。这意味着在开关过程中，导通损耗和开关损耗被双双大幅削减，让您的系统整体效率轻松跃升一个台阶。更低的损耗直接转化为更少的热量，让散热设计不再成为令人头疼的难题，系统长期运行的稳定性得到了根本保障。

为什么众多工程师在众多650V MOSFET中独独青睐它？因为STP28N65M2带来的价值是立竿见影的。其坚固的TO-220封装能够承受高达170W的功率耗散，结合150°C的最高结温，赋予了它强大的过载能力和宽广的工作安全区。无论是应对启动时的浪涌电流，还是处理复杂的负载变化，它都能从容应对。选择它，意味着您选择了一份安心，一份对产品品质和寿命的承诺。我们作为专业的ST一级代理，不仅能确保您获得原装正品和具有竞争力的价格，更能提供深度的技术支持和灵活的供应链服务，让您的创新之路畅通无阻。立即体验STP28N65M2，让它为您的下一个电源设计注入强劲动力与非凡可靠性。

• 型号:STP28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP28N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。