STP2N62K3

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够轻松应对620V高压环境，同时将导通损耗降至更低的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能格局。这正是STP2N62K3所带来的核心价值它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、延长产品寿命并赢得市场竞争力的关键引擎。

源自ST意法半导体备受赞誉的SuperMESH3技术平台，这颗N沟道MOSFET天生就为高效而生。其3.6欧姆的低导通电阻（在1.1A, 10V条件下），意味着在开关过程中更少的能量以热的形式被浪费，直接转化为更高的整体能效和更低的运行温度。无论是面对工业电源中的PFC（功率因数校正）电路，还是家用电器如空调、洗衣机的电机驱动，亦或是紧凑型充电器和适配器，STP2N62K3都能游刃有余地处理高达2.2A的连续电流，确保系统在150°C的结温下依然稳定运行。其TO-220的经典封装，不仅提供了出色的散热能力，高达45W的功率耗散也让工程师在布局时拥有更大的余量和信心。

当您需要在成本与性能之间寻找最佳平衡点时，STP2N62K3给出了一个极具说服力的答案。它继承了ST在高压MOSFET领域深厚的技术积淀，将出色的开关特性与坚固的耐用性融为一体。极低的栅极电荷（仅15nC @ 10V）和输入电容，使得驱动电路的设计更为简单高效，进一步降低了系统的整体复杂性和成本。选择它，就是选择了一个经过市场验证的可靠解决方案，它能帮助您缩短开发周期，加速产品上市。如需获取这颗性能强劲的芯片或了解更多技术细节，您可以随时咨询专业的ST代理商，他们能为您提供从选型到供应的全方位支持。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量项目或对可靠性有极致要求的场合中，依然闪耀着不可替代的价值光芒。

• 制造商产品型号：STP2N62K3
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SuperMESH3
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP2N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。