STW34NM60ND

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出STW34NM60ND，这颗来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈、重塑性能标准而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的积聚。STW34NM60ND凭借其先进的FDmesh II技术，将导通电阻（RDS(on)）降至极低的110毫欧，这意味着在高达29A的连续电流下，导通损耗被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，而不是令人头疼的热量。其600V的漏源电压额定值，为您的设计提供了坚固的安全边际，从容应对各种电压尖峰和恶劣的工业环境。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得开关速度更快，开关损耗显著降低，让您的系统整体效率轻松跃升一个新台阶。

无论是驱动一台大功率电机，还是构建一个高密度电源模块，这颗芯片都能成为您最可靠的伙伴。其TO-247封装不仅提供了出色的散热能力，支持高达190W的功率耗散，更能确保在高达150°C的结温下稳定工作，赋予您的产品无与伦比的耐用性和长寿命。选择STW34NM60ND，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与可靠性。我们专业的ST代理团队，不仅为您提供这颗顶尖芯片，更能提供全方位的技术支持和选型指导，帮助您将这颗“性能心脏”的价值发挥到极致。立即行动，让STW34NM60ND为您的下一个创新项目注入澎湃动力与无限可能！

• 型号:STW34NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW34NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。