STW9N150

在追求极致能效与可靠性的高功率应用领域，您是否还在为开关损耗、散热难题和系统稳定性而困扰？现在，一颗集高性能与高可靠性于一身的功率器件，将彻底改变您的设计体验。让我们隆重介绍STW9N150，它不仅仅是一个MOSFET，更是您构建高效、坚固电力系统的基石。

想象一下，在1500V的高压环境下，它依然能稳定输出高达8A的连续电流，其卓越的PowerMESH技术架构，将导通电阻（Rds(on)）控制在极低水平，这意味着更低的传导损耗和更出色的温升表现。高达320W的功率耗散能力，配合TO-247-3封装带来的优秀散热特性，让您的设备即使在严苛工况下也能保持冷静运行，大幅延长系统寿命。无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是太阳能逆变器和电动汽车充电桩，STW9N150都能游刃有余，为您的核心功率转换环节注入强劲而稳定的动力。

选择STW9N150，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在极端环境下的卓越适应性，而优化的栅极电荷（Qg）特性则有助于简化驱动电路设计，提升开关频率，最终让您的整机效率再上一个新台阶。当您需要可靠的原厂技术支持与稳定的供货渠道时，请务必认准官方授权的ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。别再让功率器件成为系统性能的瓶颈，立即采用STW9N150，开启高效、可靠、节能的新一代电力电子设计之旅！

• 型号:STW9N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3255 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW9N150的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。